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职位描述
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工作职责:1. 负责3D NAND器件结构研发、测试、数据分析 2. 负责存储器器件工艺及电性分析，器件工艺参数优化3. 负责NAND flash存储器产品器件的可靠性验证和分析 任职资格:1. 学历：微电子/物理/电子科学与技术/材料等专业硕士及以上2. 工作年限：1年以上MOS 或 NOR flash或NAND flash 器件开发和数据分析经验或WAT测试相关经验3. 掌握扎实的半导体器件物理和半导体集成电路工艺制备知识4. 熟练掌握excel处理数据或Python编程或Matlab 编程三者之一5. 有4082测试相关经验者优先6. 良好的 沟通能力， 阅读英文文献能力，和书面表达能力7. 待人诚恳，做事积极主动，工作严谨，责任心强，独立的思考能力和分析总结能力
职能类别：半导体器件工程师
注：联系我时，请说是在海淀人才网上看到的。
工作地点
地址：武汉武汉
求职提示：用人单位发布虚假招聘信息，或以任何名义向求职者收取财物（如体检费、置装费、押金、服装费、培训费、身份证、毕业证等），均涉嫌违法，请求职者务必提高警惕。
职位发布者
HR
长江存储科技有限责任公司
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电子技术·半导体·集成电路
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1000人以上
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公司性质未知
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东湖开发区高新四路18号
