发布：2023-10-21 07:44:03 关注：13166次
人才引进工作地区：上海
高端人才引进→详情点击《高端人才引进 》 高校人才引进→详情点击《高校招聘 》
事业单位人才引进→详情点击《事业单位人才 》 科研人才引进→详情点击《科研人才 》
医疗人才引进→详情点击《医疗人才》 企业人才引进→详情点击《企业招聘 》
|
招聘 岗位 |
专任副研究员1名（所属任务：3-5nm） |
|
岗位 职责 |
1. FinFET及GAA器件的设计及工艺整合。 2. SiGe材料外延工艺开发。 3. 面向先进工艺的DTCO技术研究。 |
|
招聘条件 |
1. 拥护党和国家的各项方针政策，遵守法律法规，品行端正；身体健康，心理素质良好；爱岗敬业，恪守学术规范和职业道德。 2. 具有微电子、物理、材料相关专业/学科博士学位。 3. 年龄一般在40周岁以下。 4. 须具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平，或任务特需的，具有中级专业技术职务任职资格（获聘后按中级专业技术职务任职资格认定） 5. 精通半导体器件物理以及集成电路工艺，具有丰富的半导体器件和工艺开发经验，包括EBL/刻蚀/外延/ALD/CVD，器件/工艺仿真等。 6. 具有重大项目研究经历者优先。 |
|
招聘 范围 |
校内、外 |
|
岗位 待遇 |
1.与学校签订劳动合同，可申请学校相关住房。 2.提供有市场竞争力的薪资待遇和优越的科研环境。 3.符合相关条件的，可按照学校规定申请子女入托入学。 |
|
应聘 程序 |
1.应聘者发送个人简历（包括学习研究经历、发表论文列表、既往研究成果、未来研究计划等）至qyx@fudan.edu.cn, 抄送到xu_min@fudan.edu.cn。 2.择优安排面试。 3.拟聘用者报学校审批。 |
|
联系 方式 |
邮箱：xu_min@fudan.edu.cn |
|
截止 日期 |
2023年12月31日 |
|
备注 |
订立聘用合同或者劳动合同以前有下列情形的，不予录用： （1）受过刑事处罚、行政拘留处罚，或者因涉嫌违法正在接受有关部门调查，尚未作出结论的； （2）受到党（团）纪、政纪处分，处分尚未解除，或者因涉嫌违纪正在接受有关单位调查，尚未作出结论的； （3）违反高等学校教师职业行为规范的； （4）在应聘过程中违背诚实信用或者社会公序良俗的； （5）其他不符合聘用条件的情形。 |
【1】凡本网注明"来源：海淀人才网"的所有文字、图片和音视频稿件，版权均属于海淀人才网，转载请必须注明海淀人才网，违反者本网将追究相关法律责任。
【2】本网转载并注明自其它来源的作品，是本着为求职者传递更多信息之目的，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品来源，并自负版权等法律责任。
【3】如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系。
其他教职工招聘
